Специальность: ()
Вузы нанотехнологий
реверс
40
проходной балл
проходной балл
Специальность:
()
Количество мест: 114
Профиль: • Микроволновая и телекоммуникационная электроника • Электронные приборы и устройства • Электронное приборостроение • Физическая электроника • Радиофотоника • Наноэлектроника и фотоника • Микро- и наноэлектронные системы • Полупроводниковая оптоэлектроника • Квантовая и оптическая электроника • Солнечная гетероструктурная фотоэнергетика • Фотовольтаика и технологии солнечной энергетики (Photovoltaics and Solar Energy Technology)
Бюджетное обучение
(очно)
Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (40)
Профиль: • Микроволновая и телекоммуникационная электроника • Электронные приборы и устройства • Электронное приборостроение • Физическая электроника • Радиофотоника • Наноэлектроника и фотоника • Микро- и наноэлектронные системы • Полупроводниковая оптоэлектроника • Квантовая и оптическая электроника • Солнечная гетероструктурная фотоэнергетика • Фотовольтаика и технологии солнечной энергетики (Photovoltaics and Solar Energy Technology)
Бюджетное обучение
(очно)
Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (40)
40
проходной балл
проходной балл
Специальность:
()
Количество мест: 90
Профиль: • Микроволновая и телекоммуникационная электроника • Электронные приборы и устройства • Электронное приборостроение • Физическая электроника • Радиофотоника • Наноэлектроника и фотоника • Микро- и наноэлектронные системы • Полупроводниковая оптоэлектроника • Квантовая и оптическая электроника • Солнечная гетероструктурная фотоэнергетика • Фотовольтаика и технологии солнечной энергетики (Photovoltaics and Solar Energy Technology)
97 500
руб/семестр
(очно)
Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (40)
Профиль: • Микроволновая и телекоммуникационная электроника • Электронные приборы и устройства • Электронное приборостроение • Физическая электроника • Радиофотоника • Наноэлектроника и фотоника • Микро- и наноэлектронные системы • Полупроводниковая оптоэлектроника • Квантовая и оптическая электроника • Солнечная гетероструктурная фотоэнергетика • Фотовольтаика и технологии солнечной энергетики (Photovoltaics and Solar Energy Technology)
97 500
руб/семестр
(очно)
Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (40)
25
проходной балл
проходной балл
Специальность:
()
Профиль: • Материалы и технологии функциональной электроники • Микроэлектроника и твердотельная электроника • Энергетическая эффективность производств электронной техники • Автоматизированное проектирование субмикронных СБИС и систем на кристалле • Проектирование и конструирование наноэлектронных систем на кристалле (сетевая) • Нанодиагностика материалов и структур • Элементная база наноэлектроники • Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники • Проектирование приборов и систем • Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники (сетевая форма реализации)
135 000
руб/семестр
(очно)
Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (25)
Профиль: • Материалы и технологии функциональной электроники • Микроэлектроника и твердотельная электроника • Энергетическая эффективность производств электронной техники • Автоматизированное проектирование субмикронных СБИС и систем на кристалле • Проектирование и конструирование наноэлектронных систем на кристалле (сетевая) • Нанодиагностика материалов и структур • Элементная база наноэлектроники • Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники • Проектирование приборов и систем • Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники (сетевая форма реализации)
135 000
руб/семестр
(очно)
Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (25)
25
проходной балл
проходной балл
Специальность:
()
Количество мест: 74
Профиль: • Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники (37 мест) • Элементная база наноэлектроники (6 мест) • Нанодиагностика материалов и структур (2 места) • Автоматизированное проектирование субмикронных СБИС и систем на кристалле (20 мест) • Материалы и технологии функциональной электроники (9 мест) Бюджетное обучение
(очно)
Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (25)
Профиль: • Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники (37 мест) • Элементная база наноэлектроники (6 мест) • Нанодиагностика материалов и структур (2 места) • Автоматизированное проектирование субмикронных СБИС и систем на кристалле (20 мест) • Материалы и технологии функциональной электроники (9 мест)
Бюджетное обучение
(очно)
Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (25)