Специальность: Электроника и наноэлектроника (11.04.04)
Изучает совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной на теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование, технологию производства, использование и эксплуатацию материалов, компонентов, электронных приборов, устройств, установок вакуумной, плазменной, твердотельной, микроволновой, оптической, микро- и наноэлектроники различного функционального назначения.
Профессии: Архитектор виртуальности, Видеооператор, Гейм-дизайнер, Дизайнер-визуализатор (дизайнер 3D), Дизайнер виртуальных миров, Инженер-исследователь, Инженер-конструктор радиоэлектронной аппаратуры, Инженер оптико-элект Читать дальше...
Профессии: Архитектор виртуальности, Видеооператор, Гейм-дизайнер, Дизайнер-визуализатор (дизайнер 3D), Дизайнер виртуальных миров, Инженер-исследователь, Инженер-конструктор радиоэлектронной аппаратуры, Инженер оптико-элект Читать дальше...
Вузы нанотехнологий Магистратура
реверс
40
проходной балл
проходной балл
Специальность: Электроника и наноэлектроника
(11.04.04)
Количество мест: 114
Профиль: • Микроволновая и телекоммуникационная электроника • Электронные приборы и устройства • Электронное приборостроение • Физическая электроника • Радиофотоника • Наноэлектроника и фотоника • Микро- и наноэлектронные системы • Полупроводниковая оптоэлектроника • Квантовая и оптическая электроника • Солнечная гетероструктурная фотоэнергетика • Фотовольтаика и технологии солнечной энергетики (Photovoltaics and Solar Energy Technology) Бюджетное обучение Магистратура (очно) Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (40)
Профиль: • Микроволновая и телекоммуникационная электроника • Электронные приборы и устройства • Электронное приборостроение • Физическая электроника • Радиофотоника • Наноэлектроника и фотоника • Микро- и наноэлектронные системы • Полупроводниковая оптоэлектроника • Квантовая и оптическая электроника • Солнечная гетероструктурная фотоэнергетика • Фотовольтаика и технологии солнечной энергетики (Photovoltaics and Solar Energy Technology) Бюджетное обучение Магистратура (очно) Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (40)
40
проходной балл
проходной балл
Специальность: Электроника и наноэлектроника
(11.04.04)
Количество мест: 90
Профиль: • Микроволновая и телекоммуникационная электроника • Электронные приборы и устройства • Электронное приборостроение • Физическая электроника • Радиофотоника • Наноэлектроника и фотоника • Микро- и наноэлектронные системы • Полупроводниковая оптоэлектроника • Квантовая и оптическая электроника • Солнечная гетероструктурная фотоэнергетика • Фотовольтаика и технологии солнечной энергетики (Photovoltaics and Solar Energy Technology) 97 500 руб/семестр Магистратура (очно) Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (40)
Профиль: • Микроволновая и телекоммуникационная электроника • Электронные приборы и устройства • Электронное приборостроение • Физическая электроника • Радиофотоника • Наноэлектроника и фотоника • Микро- и наноэлектронные системы • Полупроводниковая оптоэлектроника • Квантовая и оптическая электроника • Солнечная гетероструктурная фотоэнергетика • Фотовольтаика и технологии солнечной энергетики (Photovoltaics and Solar Energy Technology) 97 500 руб/семестр Магистратура (очно) Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (40)
25
проходной балл
проходной балл
Специальность: Электроника и наноэлектроника
(11.04.04)
Профиль: • Материалы и технологии функциональной электроники • Микроэлектроника и твердотельная электроника • Энергетическая эффективность производств электронной техники • Автоматизированное проектирование субмикронных СБИС и систем на кристалле • Проектирование и конструирование наноэлектронных систем на кристалле (сетевая) • Нанодиагностика материалов и структур • Элементная база наноэлектроники • Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники • Проектирование приборов и систем • Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники (сетевая форма реализации) 135 000 руб/семестр Магистратура (очно) Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (25)
Профиль: • Материалы и технологии функциональной электроники • Микроэлектроника и твердотельная электроника • Энергетическая эффективность производств электронной техники • Автоматизированное проектирование субмикронных СБИС и систем на кристалле • Проектирование и конструирование наноэлектронных систем на кристалле (сетевая) • Нанодиагностика материалов и структур • Элементная база наноэлектроники • Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники • Проектирование приборов и систем • Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники (сетевая форма реализации) 135 000 руб/семестр Магистратура (очно) Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (25)
25
проходной балл
проходной балл
Специальность: Электроника и наноэлектроника
(11.04.04)
Количество мест: 74
Профиль: • Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники (37 мест) • Элементная база наноэлектроники (6 мест) • Нанодиагностика материалов и структур (2 места) • Автоматизированное проектирование субмикронных СБИС и систем на кристалле (20 мест) • Материалы и технологии функциональной электроники (9 мест) Бюджетное обучение Магистратура (очно) Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (25)
Профиль: • Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники (37 мест) • Элементная база наноэлектроники (6 мест) • Нанодиагностика материалов и структур (2 места) • Автоматизированное проектирование субмикронных СБИС и систем на кристалле (20 мест) • Материалы и технологии функциональной электроники (9 мест) Бюджетное обучение Магистратура (очно) Срок обучения: 2 года
Приоритет экзаменов (минимальные баллы) для подачи документов:
1. Экзамен по направлению подготовки (25)